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机译:射频功率和总质量流量对氦稀释硅烷辉光放电制备微晶硅膜性能的影响
Institute de Energias renovables, CIEMAT, Avda. Complutense 22, E-28040 Madrid, Spain;
rnInstitute de Energias renovables, CIEMAT, Avda. Complutense 22, E-28040 Madrid, Spain;
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microcrystalline silicon; plasma-enhanced chemical vapor deposition; optoelectronic properties; structural properties; X-ray diffraction; raman spectroscopy;
机译:标准射频辉光放电在微晶硅膜生长中硅烷与四氟化硅的关系
机译:通过逐层生长的射频磁控溅射制备的氢化微晶硅薄膜的结晶度和沉积速率的控制
机译:高频辉光放电制备结晶氢化硅膜的微观结构和光学性质
机译:通过非常高频发光 - 放电制备的微晶硅太阳能电池的微观结构
机译:原子发射光谱的射频供电辉光放电(RF-GD)源的设计和评估。
机译:用于射频辉光放电等离子体容易制备的ARGET ATRP的高反应性卤素酯表面引发剂
机译:压力和射频功率对等离子体沉积氢化非晶硅薄膜沉积速率和结构性能的影响
机译:通过光CVD(化学/气相沉积)和辉光放电制备的微晶硅 - 碳p层的研究:最终转包报告,1987年12月1日 - 1988年11月30日。