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机译:应力元素在微电子材料中用X射线衍射在纳米级探测应变
IBM. T.J. Watson Research Center, Yorktown Heights, NY 10598, USA;
Dept. of Applied Physics & Mathematics, Columbia University, New York, NY 10027, USA;
Dept. of Applied Physics & Mathematics, Columbia University, New York, NY 10027, USA;
Advanced Photon Source, Argonne National Laboratory, Argonne, IL 60439, USA;
Advanced Photon Source, Argonne National Laboratory, Argonne, IL 60439, USA,Center for Nanoscale Materials, Argonne National Laboratory, Argonne, IL 60439, USA;
Center for Nanoscale Materials, Argonne National Laboratory, Argonne, IL 60439, USA;
stress; x-ray diffraction; microelectronics;
机译:利用X射线衍射表征微电子材料中的纳米应变
机译:X射线衍射图的晶粒尺寸诱导和应变诱导的展宽之间的相互关系:我们可以从纳米结构材料中学到什么?
机译:“应力测试”探查材料中的纳米级菌株:新结果将影响集成电路设计
机译:X射线衍射作为弹性应变的探针:薄金属膜的微型和纳米级调查
机译:X射线衍射测定的各种多晶硅材料中的应力诱导晶格缺陷
机译:超快速透射电子显微镜中应变动力学的纳米级衍射探测
机译:X射线衍射在微电子材料中的纳米应变表征
机译:应力梯度诱导金属中的应变局部化:通过同步辐射X射线衍射(pOsTpRINT)的高分辨率应变横截面