Analyses Auger et XPS de l'interface de TiO/Si

摘要

Des couches minces d'oxyde de titane ont été caractérisées par spectroscopies XPS et Auger, afin d'étudier l'interface de TiO/Si. Cette étude a été proposée afin d'élucider l'influence des réactions physico-chimiques sur les qualités électrophysiques de la couche d'oxyde de titane, réaction ayant lieu à l'interface après traitement thermique. La compréhension de cette réaction est très importante en vue de l'application de couches TiO en microélectromque comme couches barrière, contre l'interdiffusion et comme électrodes dans des structures de mémoires non volatiles d'ordinateurs dans un futur proche. Des problèmes spécifiques à l'étude des profils de concentration par spectroscopie XPS couplée au décapage ionique sont discutés.