最先端半導体微細パターンの高精度計測を実現する走査型電子顕微鏡の回路ノィズ相殺と帯電抑制技術の開発

摘要

半導体は、スマートフォンやデータセンターをはじめとする情報通信機器、IoT分野や自動車分野などで大量に使用され、生活必需品の革新を次々と起こし、豊かで快適な暮らしに役立っている（図1)。半導体の集積回路は、「Mooreの法則」"）に従って、単位面積当たりの集積度は平均して2年で2倍の高集積化を達成してきた。現在高集積化のスピードは鈍化しているものの、2次元から3次元に集積回路を積層することにより、集積度向上が図られている。微細パターンからなる最先端集積回路を大量生産するためには、微細パターンを計測して品質を管理することがますます重要になってきている。