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机译:通过角度分辨研究Si 2p和Si 1s含量以及Si KLL Auger跃迁来研究SiO2 / SiC界面的性能
Silicon; Silicon oxides; Silicon carbide; Oxidation; Angle resolved photoemission; Auger electron spectroscopy; Core-level; Photoelectron-spectroscopy; Oxidation; Photoemission; Oxide; 4h-sic(0001); 6h-sic(0001); Performance; Surfaces; States;
机译:超薄SiO2 / Si(100)界面的化学结构:角分辨Si 2p光发射研究-艺术。没有。 205310
机译:通过正电子an没光谱研究了GePb1的电荷跃迁能级位于SiO2 / GexSi1-x / SiO2异质结构的界面
机译:氧K边缘的共振光发射作为研究SiO2 / Si和SiO2 / SiC界面缺陷的电子性质的工具
机译:SiO_2 / SiC界面过渡层的角度分辨PES研究
机译:通过角分辨X射线光电子能谱,零椭偏法和电容电压测量研究氧化物/硅界面的结构和电学性质
机译:1S–2PLyman-α在抗氢中的转变的观察
机译:通过正电子an没光谱研究了GePb1的电荷跃迁能级位于SiO2 / GexSi1-x / SiO2异质结构的界面