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【2h】

Charge transition level of GePb1 centers at interfaces of SiO2/GexSi1-x/SiO2 heterostructures investigated by positron annihilation spectroscopy

机译：通过正电子an没光谱研究了GePb1的电荷跃迁能级位于SiO2 / GexSi1-x / SiO2异质结构的界面

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Madia Oreste; Segercrantz N; Afanasev Valeri; Stesmans Andre; Souriau L; Slotte J; Tuomisto F;
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年度 2014
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