机译:用C_2H_5OH饱和的Si(111)-7×7表面上纳米晶体金属点的生长
Advanced Science Research Laboratory, Saitama Institute of Technology, 1690 Fusaiji, Fukaya, Saitama 369-0293, Japan;
Si(111)-7 × 7; Si(111)-7 × 7 saturated with C_2H_5OH; growth of nano-dot; Zn, Sn and Ag; nucleation sites; hopping migration; layer-by-layer growth of nano-dots;
机译:在C2H5OH饱和的Ss(111)-7X7表面上受控生长Zn纳米点
机译:在S(111)7 x 7和Si(111)3〜(1/2)x 3〜(1/2)-R30°-B表面上FeSi_2纳米点的SPE生长的比较STM研究
机译:C_2H_5OH和NO的定点吸附取决于Si(111)-7 X 7表面上的局部结构或局部电子密度
机译:使用拉伸应变自组装在(111)和(110)表面上的量子点生长
机译:(111)和(110)表面上的拉伸量子点和晶格匹配的外延。
机译:硫在FCC金属的(111)(100)(110)和(211)表面上的吸附和扩散:密度泛函理论计算
机译:(111)和(110)表面使用拉伸紧张自组装的量子点生长
机译:电子促进剂和半导体氧化:si(111)表面上的碱金属