机译:在氢蚀刻的6H-SiC {0001}表面上形成台阶
Department of Physics, Carnegie Mellon University, Pittsburgh, PA 15213, USA;
atomic force microscopy; step formation and bunching; silicon carbide;
机译:具有3层高表面台阶的6H-SiC(0001)衬底上生长的AlN层中的螺纹位错阵列的形成机理
机译:具有3层高表面台阶的6H-SiC(0001)衬底上生长的AlN层中的螺纹位错阵列的形成机理
机译:通过高真空退火在6H-SiC(0001)表面形成周期性台阶
机译:通过高真空退火在6H-SiC(0001)表面形成周期性台阶
机译:格氏试剂形成过程中的Mg(0001)表面。
机译:使用分步傅里叶方法对束能量为1至4 eV的石墨(0001)表面的氢(同位素)和氦进行弹性散射的数值研究
机译:氢蚀刻6H-SiC {0001}表面的台阶形成