机译:Sb在In / Si(111)表面上的反应:异质外延InSb(111)形成
Osaka Electrocommun Univ, Fundamental Elect Res Inst, Neyagawa, Osaka 5728530, Japan;
Osaka Electrocommun Univ, Fundamental Elect Res Inst, Neyagawa, Osaka 5728530, Japan;
SPring8 JASRI, Sayo, Hyogo 6795198, Japan;
Osaka Electrocommun Univ, Fundamental Elect Res Inst, Neyagawa, Osaka 5728530, Japan;
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SPring8 JASRI, Sayo, Hyogo 6795198, Japan;
SPring8 JASRI, Sayo, Hyogo 6795198, Japan;
SPring8 JASRI, Sayo, Hyogo 6795198, Japan;
RIKEN, SPring Ctr 8, Sayo, Hyogo 6795198, Japan;
RIKEN, SPring Ctr 8, Sayo, Hyogo 6795198, Japan;
JAEA, Synchrotron Radiat Res Ctr, Sayo, Hyogo 6795198, Japan;
RIKEN, SPring Ctr 8, Sayo, Hyogo 6795198, Japan;
Osaka Electrocommun Univ, Fundamental Elect Res Inst, Neyagawa, Osaka 5728530, Japan;
机译:GaSb / Si(111)-√3×√3-Ga表面相上InGaSb层异质外延膜上InSb沟道层的生长特性
机译:GaSb / Si(111)-√3×√3-Ga表面相上InGaSb层异质外延膜上InSb沟道层的生长特性
机译:通过InSb双层在Si(111)衬底上高温生长异质外延InSb膜
机译:现成的InSb(100),(111)B和GCIB处理的InSb(111)B表面的原子氢清洗
机译:超高真空电子显微镜对InSb(111)A,(111)B重建表面的原位观察和结构确定。
机译:铁磁MnSb(0001)的异质外延生长Ge / Si(111)虚拟电影基材
机译:超高真空电子显微镜对InSb(111)A和(111)B重建表面的原位观察和结构确定
机译:模型计算(sup 111)在生产中通过(sup 112,114,115,116,117)sn((sup 1)H,xnypz(alpha))(sup 111)sb(产率)(sup 111)sn(产率)(sup 111)在反应中