机译:包括边缘场效应的无结圆柱形环绕栅MOSFET的阈值电压模型
Department of Electronics and Communication Engineering, Motilal Nehru National Institute of Technology Allahabad, 211004, India;
Junctionless (JL) MOSFET; Fringing fields; Threshold voltage; Cylindrical surrounding gate (CSG); Evanescent mode analysis (EMA);
机译:双栅全围绕金属氧化物半导体场效应晶体管(DGAA MOSFET)的阈值电压建模,包括流苏局部效应
机译:包含边缘场效应的圆柱形环绕栅MOSFET的建模
机译:短通道无结圆柱形环绕栅极(JLCSG)MOSFET的新型准2D阈值电压模型
机译:无结环绕栅MOSFET的短通道阈值电压模型
机译:用于低压集成电路应用的双栅CMOS设计和分析,包括绝缘体上硅MOSFET的物理建模。
机译:面向低电压低能耗的超薄绝缘体上硅MOSFET低频噪声行为的经验和理论模型
机译:中央电场和累积模式连接圆柱围绕栅极MOSFET的阈值电压
机译:多晶硅栅极对具有薄栅氧化层的亚100nm mOsFET中随机掺杂诱导阈值电压波动的影响