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机译:使用Legendre小波对模拟/ RF应用的三材料栅极叠层栅极全能(TMGSGAA)MOSFET进行建模和仿真
School of Electrical and Electronics Engineering, SASTRA University, Thanjavur, 613401, India;
School of Electrical and Electronics Engineering, SASTRA University, Thanjavur, 613401, India;
Gate engineering; RF analysis; Legendre Wavelets; Quantum mechanical effects;
机译:考虑量子力学效应的三材料栅叠栅全能(TMGSGAA)MOSFET的数值模型
机译:三重材料栅叠栅全能(TMGSGAA)MOSFET光学特性的数值模拟
机译:纳米级三区域三材料栅极堆叠(TRIMGAS)MOSFET的建模和仿真,以提高载流子传输效率并减少热电子效应
机译:横向非对称沟道和栅极堆叠设计对周围栅极MOSFET器件性能的影响:建模和仿真研究
机译:用于数字和模拟/ RF电路应用的双栅极MOSFET的建模,制造和表征
机译:具有纳米堆叠的高k栅极电介质和3D鳍形结构的高性能III-V MOSFET
机译:用于改进的模拟应用的MOSFET(AGSTMGAAFET)周围的非对称闸门三重金属门的亚阈值分析模型