机译:用于大功率应用的氧化物和掺杂工程横向双极结型晶体管的设计和仿真
Department of Electronics and Comm. Engineering, Jamia Millia Islamia, New Delhi, India;
Department of Electronics and Comm. Engineering, Jamia Millia Islamia, New Delhi, India;
Department of Electronics and Comm. Engineering, IUST, Srinagar, Kashmir, India;
Department of Electrical Engineering, King Saud University, Saudi Arabia;
Silicon-on-insulator; Lateral bipolar junction transistor; Breakdown voltage (BV); Buried oxide; On-resistance (R_(ON)); Thermal analysis;
机译:局部掩埋氧化物上高性能横向双极结型晶体管的设计与仿真
机译:具有90 nm CMOS技术的高电流增益栅极控制横向双极结型晶体管,适合未来的RF SoC应用
机译:超结双极晶体管:一种新的硅功率器件概念,适用于中压至高压的超低损耗开关应用
机译:选择性掩埋氧化物上的高性能横向双极结型晶体管
机译:双极结型晶体管,MOSFET,功率运算放大器和真空管音频功率放大器设计的比较。
机译:用于透明柔性薄膜晶体管应用的掺铝氧化锡薄膜的电结构光学和粘合特性
机译:互补低功耗应用中基于InGaAsN的异质结双极晶体管的仿真和设计