枚葉式中電流イオン注入装置MC3-Ⅱ/GP

摘要

本装置は，次世代まで対応可能な注入品質と高生産性を併せ持つ枚葉式中電流イオン注入装置である。 前モデルMC3-Ⅱ/WRより，多価ビーム電流を増大するとともに，オートビームセットアップ時間を短縮することで，中•高エネルギー領域の生産性を格段に向上させた。左右対称なイオンビーム平行化光学系による水平方向の高いビーム均質性と，注入点を一定に保つウェハ垂直走査機構など，MC3-Ⅱ/WRの優れた特性は継承し，ウェハ全面にわたる高精度の注入均一性が得られる。