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机译:1 ns,1 W,2.5 V,32 Kb NTL-CMOS SRAM宏,使用带有PMOS存取晶体管的存储单元
机译:45 nm低功耗32 kb嵌入式静态随机存取存储器(SRAM)单元的设计与分析
机译:低功耗使用Compact 7T SRAM单元消耗1 kB(32 x 32)存储器阵列
机译:1.5 ns的访问时间,78μm / sup 2 /存储单元大小,64 KB ECL-CMOS SRAM
机译:一个1 ns,1 W,2.5 V,32 Kb NTL-CMOS SRAM宏,使用带有p沟道访问晶体管的存储单元
机译:浮栅注入剂量的表征及其对PMOS电可擦单元(PEEC)存储器阵列的影响。
机译:用于22nm体PMOS晶体管的HK和MG集成了源极和漏极中的高应变SiGe
机译:具有32nm Fin键盘型晶体管的六晶体管静态随机存取存储器静态噪声裕度的数值模拟