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A high-IP3 RF receiver chip set for mobile radio base stations upto 2 GHz

机译:用于高达2 GHz的移动无线基站的高IP3 RF接收器芯片组

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摘要

We present a monolithically integrated high third-order interceptnpoint (IP3) radio frequency (RF) receiver chip set for mobile radio basenstations up to 2 GHz, in a 25-GHz fT Si bipolar productionntechnology. The chip set consists of a RF preamplifier, active mixerncircuits, and an intermediate frequency (IF) limiter. The preamplifierngain is 12 dB, the noise figure is 5.5 dB at 900 MHz, and the outputn(OIP3) is up to +24 dBm depending on supply voltage. The two differentnmixers provide a conversion gain of 1.5 dB up to 3 dB, an OIP3 in thenrange of +21 dBm up to +29 dBm, and a minimal single sideband (SSB)nnoise figure of 13 dB. The IF limiter shows an excellent limitingncharacteristic at 10 dBm output power and has a high bandwidth of morenthan 1 GHz
机译:我们采用25 GHz fT Si双极生产技术,为高达2 GHz的移动无线基站提供单片集成的高三阶拦截点(IP3)射频(RF)接收器芯片组。该芯片组由一个RF前置放大器,有源混频电路和一个中频(IF)限制器组成。前置放大器的增益为12 dB,900 MHz时的噪声系数为5.5 dB,根据电源电压的不同,输出n(OIP3)最高为+24 dBm。两种不同的混频器提供高达1.5 dB的转换增益(高达3 dB),在+21 dBm范围内的OIP3(高达+29 dBm)以及最小的单边带(SSB)噪声系数13 dB。 IF限制器在10 dBm输出功率下显示出出色的限制特性,并具有超过1 GHz的高带宽

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