机译:Σ采用电容性退化的高频LC VCO设计
BiCMOS analogue integrated circuits; MOS integrated circuits; negative resistance; voltage-controlled oscillators; 0.25 micron; 20 GHz; BiCMOS integrated circuits; SiGe; analog integrated circuits; capacitive degeneration; cross-coupled MOS pair; high-frequency LC;
机译:使用电容变性技术设计LC VCO
机译:低功耗,低相位噪声电容变性LC VCO
机译:使用电容源极退化耦合消除双模振荡的LC正交VCO
机译:使用源电容变性宽带VCO的低相位噪声设计
机译:宽调谐范围低相位噪声毫米波LC-VCO的分析和设计。
机译:基于VCO的电容MEMS麦克风的CMOS读出电路
机译:具有环形电容耦合结构的10 GHz多相LC VCO