机译:一个31.3 dBm批量CMOS T / R开关,使用堆叠式晶体管,在浮动p阱中具有子设计规则通道长度
CMOS integrated circuit; floating-body; high power; radio frequency (RF); switch;
机译:通过具有耗尽层扩展晶体管(DET)的堆叠晶体管配置的分压效应实现21.5 dBm功率处理5 GHz发送/接收CMOS开关
机译:通过具有耗尽层扩展晶体管(DET)的堆叠晶体管配置的分压效应实现21.5 dBm功率处理5 GHz发送/接收CMOS开关
机译:改进的IIP3双刀双掷开关,具有用于WiGig应用的65 nm CMOS的本体和栅极浮置多堆叠谐振器
机译:通过具有耗尽层扩展晶体管(DET)的堆叠晶体管配置的分压效应实现21.5 dBm功率处理5 GHz发射/接收CMOS开关
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:低功耗开关电阻带通滤波器用于130nm CMOS中的神经记录通道
机译:使用CMOS Bulk P-Well技术设计16位流水线加法器。