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机译:高压摆幅驱动器的击穿电压倍增器
BiCMOS integrated circuits; Ge-Si alloys; driver circuits; optical modulation; voltage multipliers; 10 Gbit/s; 50 ohm; 8 V; BV-doubler topology; BiCMOS process; SiGe; breakdown voltage multiplier; collector-emitter breakdown voltage; high voltage swing drivers; optica;
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机译:在65nm CMOS中使用开关电容器电压倍增器和同步电荷补偿的全集成高压脉冲驱动器
机译:作者对以下问题的答复:湿度对球形间隙和均匀电场间隙的击穿电压的影响,附近接地物体的影响以及电压极性对水平球形间隙的直流电压击穿的影响,在均匀场中以及直径最大为25 cm的球之间的气隙的直流电压校准
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机译:电压倍增器的高压增益DC-DC转换器的操作与分析
机译:高压应用超晶格GaN-On-Silicon异质结构的高击穿电压和低缓冲液
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