机译:应变Si_0.8Ge_0.2 p沟道MOSFET中的速度超调指示
机译:Si / sub x / Ge / sub 1-x / MOSFET上应变硅中电子速度过冲效应的解析模型
机译:伪晶Si_0.8Ge_0.2 p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的速度场特性研究
机译:界面状态产生的频道长度依赖性和氧化血管电荷的漏流雪崩热载体的HFSION / SiO_2 P沟道MOSFET的劣化,具有应变Si / SiGe通道
机译:Si / Si
机译:p沟道应变硅锗异质MOSFET的分析设计和数值验证
机译:有序SiGe点上的应变MOSFET
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