机译:SiGe虚拟衬底的气源分子束外延:II。应变松弛和表面形态
机译:SiGe虚拟衬底的气源分子束外延:I.生长动力学和掺杂
机译:固体源分子束外延在Si(110)上SiGe的生长过程中应变松弛过程和晶体形态的演化
机译:掩模的边缘效应对分子束外延生长在图案化Si衬底上生长的SiGe薄膜的应变和形貌的影响
机译:应变弛豫和in_xAl_(1-x)之间的相互关联作为分子束外延生长的GaAs底物上的组成分步缓冲层
机译:硅(001):磷气源分子束外延过程中的磷掺入:对薄膜生长动力学,表面形态和锗量子点覆盖层的自组织的影响。
机译:分子束外延生长的分子束外延和GaAsBi / GaAs量子阱的性质:热退火的影响
机译:通过原子层分子束外延在InP上生长的InSb自组装量子点:形貌和应变松弛
机译:si和siGe合金的气源分子束外延中的表面过程(Gas Bron moleculaire Bundel Epitaxie van si en siGe Legeringen中的Oppervlakte processen)