机译:n型金属氧化物半导体晶体管的高C含量Si / Si_(1-y)C_y异质结构
CEA-DRT, LETI/D2NT & DPTS, CEA/GRE, 17 Avenue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 9, France;
机译:源/漏Si_(1-y)C_y应力源对绝缘体上硅N型金属氧化物半导体场效应晶体管的影响
机译:碳浓度不同的Si_(1-y)C_y源/漏n型金属氧化物半导体场效应晶体管的辐射容限
机译:气源分子束外延和热线电池法生长的应变Si_(1-y)C_y金属氧化物半导体场效应晶体管的特性与比较
机译:等离子体种植栅极氧化物在拉伸应变Si_(1-Y)C_Y / Si异质结构上
机译:氮化铝镓/氮化镓金属氧化物半导体异质结构场效应晶体管的器件设计和制造。
机译:厚度调制半导体到砷中金属跃迁的无掺杂砷异质结构金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:alGaN / GaN异质结中的低频噪声场效应晶体管和金属氧化物半导体异质结构场效应晶体管
机译:InxGa1-xsb沟道p-金属氧化物半导体场效应晶体管:应变和异质结构设计的影响