机译:栅极和源极端接的场板伪晶HEMT的功率和线性比较
Chang Gung University, Electronics Engineering, Tao Yuan Shien, Taiwan, Republic of China;
机译:使用栅极/源极端接的场板晶体管的CMOS T / R开关的比较研究
机译:可调场板电压的AlGaAs / InGaAs伪晶HEMT的微波性能
机译:栅极端接和源极端接的场板0.13μmNMOS晶体管的综合研究
机译:高线性Algaas / InGaAs假形HEMT驱动器放大器使用可调谐场板电压技术
机译:氮化铝镓/氮化镓HEMT技术中的高线性度和高效率RF MMIC功率放大器。
机译:利用晶体管单元非对称功率组合的Ku波段50 W GaN HEMT功率放大器
机译:使用栅极板,源场板和排水场板仿真AlGaN / GaN Hemts'击穿电压增强