法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-12-27
授权
授权
2017-11-24
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/336 申请日:20170602
实质审查的生效
2017-11-24
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20170602
实质审查的生效
2017-10-27
公开
公开
2017-10-27
公开
公开
2017-10-27
公开
公开
查看全部
机译: 场板沟槽晶体管及其生产工艺将隔离的场电极结构连接到分压器,以将其电势设置在源极和漏极或栅极和漏极之间
机译: 具有自对准硅化物的栅极和源极/漏极与非硅化物源极漏极区相结合的MOS器件的制造方法
机译: 通过选择性地去除源极/漏极区域中的栅极电介质,然后进行多晶硅沉积和CMP的方法来形成自对准升高的源极/漏极的方法