机译:直拉生长的含碳和锗的硅中的辐射诱导缺陷
University of Athens, Solid State Physics Section, Panepistimiopolis Zografos, Athens 157 84, Greece;
University of Athens, Solid State Physics Section, Panepistimiopolis Zografos, Athens 157 84, Greece;
Ioffe Physicotechnical Institute of the Russian Academy of Sciences, Politeknicheskaya ul. 26, 194012, St. Petersburg, Russia;
Kumamoto National College of Technology, 26592, Nishigoshi, Kumamoto 861-1102, Japan;
机译:直拉生长的硅锗合金中的defect缺陷水平
机译:低碳含量的切克劳斯基生长的硅中的电活性辐射诱导的缺陷
机译:氮掺杂直拉生长硅衬底上外延层的晶体缺陷(Ⅱ)“通过控制晶体生长条件和碳共掺杂抑制外延层中的晶体缺陷”
机译:思科Czochralski-Slowrown锗的晶格缺陷的最新进展:用硅追赶
机译:硅/硅(1-y)碳(y)和硅/硅(1-x-y)锗(x)碳(y)异质结构的能带工程及其在PNP异质结双极晶体管(碳化硅,碳化硅锗)中的应用。
机译:通过自组装分子实现无缺陷掺杂单层:间隙中碳相关缺陷的演变。磷掺杂硅
机译:生长点缺陷对Czochralski生长的硅晶片中少数载流子寿命的影响