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300mm直拉单晶硅生长缺陷研究

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摘要

本文针对微电子工业的基础材料——单晶硅进行了其生长缺陷方面的研究,基于300mm掺氮直拉单晶硅的生长、原生氧沉淀等方面的热处理进行了详细分析,同时对极低电阻率的情况下分析了掺氮重掺砷和重掺磷直拉硅单晶的生长和氧沉淀等方面进行了应用分析.

著录项

来源
《科技资讯》|2014年第17期|238|共1页
作者
王思锋;
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作者单位

江苏聚能硅业有限公司江苏苏州 215226;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.12;
关键词
300mm直拉单晶硅; 生长缺陷; 热处理;
入库时间 2023-07-24 15:30:31

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