机译:电流分布不均匀的Ingan / gan多量子阱发光二极管的效率下降
V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, 03028 Kyiv, Ukraine;
Ivan Franko Zhytomyr State University, 10008 Zhytomyr, Ukraine;
机译:在独立式GaN衬底上生长的InGaN / GaN多量子阱蓝色发光二极管中的效率下降
机译:在梯形量子屏障中减轻IngaN / GaN多量子孔发光二极管效率下垂的效率下垂
机译:量子阱厚度不同的InGaN / GaN多量子阱发光二极管的效率下降行为
机译:InGaN / GaN多量子阱对蓝光发光二极管效率下垂的P-N量子屏障的影响
机译:以极性,半极性和非极性方向生长的InGaN / GaN多量子阱发光二极管。
机译:通过InGaN / GaN多量子阱发光二极管中的石墨烯透明导电电极以良好的电流扩散特性增强载流子传输和载流子捕获
机译:InGaN / GaN多量子阱发光二极管中电流分布不均匀的效率下降