机译:掺杂对B掺杂多晶CVD金刚石薄膜中电子态的影响
Materials and Engineering Research Institute, Sheffield Hallam University, Sheffield SI 1WB, UK;
Materials and Engineering Research Institute, Sheffield Hallam University, Sheffield SI 1WB, UK;
College of Engineering, University of Canterbury, Christchurch, New Zealand;
School of Chemistry, University of Bristol, Bristol BS8 ITS, UK;
机译:多晶金刚石厚膜上纳米晶金刚石薄膜的沉积和硼掺杂
机译:聚晶金刚石厚膜上纳米晶金刚石薄膜的沉积和硼掺杂
机译:用于多电极阵列生物传感器的CVD重掺杂B金刚石薄膜的表征
机译:MW PE CVD法生长的B掺杂金刚石薄膜的等离子体OES与性能的相关性
机译:磷掺杂的n型和氢掺杂的p型CVD金刚石薄膜的光电研究。
机译:掺杂高结晶有机薄膜:朝向高性能有机电子产品
机译:宽光学间隙B掺杂的NC-Si薄膜,具有先进的结晶度和导电性,透明柔性基板上,用于潜在的低成本柔性电子器件,包括NC-Si超级P-I-N太阳能电池