Department of Physics, Bielefeld University, Bielefeld, Germany;
机译:忆阻性Hebbian可塑性模型:基于忆阻性器件模拟Hebbian可塑性的设备要求
机译:MemFlash器件:浮栅晶体管作为用于神经形态计算的忆阻器件
机译:对忆取器件频率依赖行为的理解新的视角
机译:一种自动调整忆阻设备忆阻能力的方法
机译:基于HFO2的RERAM的表征与MIM类存储装置的物理学型号的开发
机译:基于区域依赖的PR0.7CA0.3MNO3的忆序器件作为尖峰和人工神经网络的突触
机译:铭文设备:基于氧化钛涂覆银纳米线网络的平面和透明膜装置,可调谐开关电压(小21/2021)