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机译:ALD栅极电介质可改善用于电源应用的AlGaN / GaN MOS-HFET中的阈值电压稳定性
N Carolina State Univ, Dept Elect & Comp Engn, Raleigh, NC 27606 USA;
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power transistors; semiconductor-insulator interfaces; semiconductor device reliability; high-k gate dielectrics; atomic layer deposition (ALD); AlGaN/GaN; MOSHFET;
机译:具有高阈值电压常关操作的AlGaN / GaN嵌入式MIS-Gate HFET,适用于电力电子应用
机译:通过正向栅极电压应力脉冲分析AlGaN / GaN MISHEMT中的阈值电压不稳定性
机译:具有原子层沉积(ALD)HfAlO高k电介质的AlGaN / GaN功率器件的高温器件传输性能和关态特性的改善
机译:优化ALD高k栅极电介质以改善AlGaN / GaN MOS-HFET直流特性和可靠性
机译:为改善AlGaN / GaN MOS-HFET中的阈值电压稳定性和电流崩塌抑制而研究ALD介电材料的研究。
机译:通过热ALD技术生长具有AlN栅极电介质的AlGaN / GaN MISHEMT
机译:闸门脉冲诱导界面陷阱行为的研究及其与AlGan / Gan-on-Si Mis-Hemts中阈值电压不稳定性的关系
机译:自对准aLD alOx T栅极绝缘体,用于siNx钝化alGaN / GaN HEmT中的栅极漏电流抑制