机译:GaN肖特基毫米波电路的分析和建模
Univ Politecn Madrid, Dept Signals Syst & Radiocommun, ETSI Telecomunicac, E-28040 Madrid, Spain;
Univ Politecn Madrid, Dept Signals Syst & Radiocommun, ETSI Telecomunicac, E-28040 Madrid, Spain;
GaN; Schottky diode; modelling; frequency multiplier; frequency mixer; Monte Carlo; drift-diffusion;
机译:使用改进的瑞利GAN理论建模树枝状冰晶晶体反向散射横截面的横截面
机译:毫米波AlGaN / GaN HEMT的等效电路模型
机译:调节木聚糖条件下厘米和毫米波长的氨吸收光谱:广泛的毫米波长测量和一致的模型
机译:用于微波和毫米波电路应用的AL_XGA_(1-X)N / GAN异质结构场效应晶体管(HFET)的建模
机译:无源微波和毫米波高温超导体电路和组件的计算机辅助建模和分析。
机译:0.1μmAlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的改进大信号模型及其在W波段实用单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:毫米波Algan / GaN Hemts等效电路模型
机译:毫米波Impatt二极管的计算机建模。关于毫米波电路分析和综合的系列报告之一。