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机译:V-Ti / Al / Ni / Au欧姆接触具有薄GaN盖层的AlGaN / GaN异质结构的研究
Yonsei Univ, Sch Integrated Technol, Inchon 406840, South Korea|Yonsei Univ, Yonsei Inst Convergence & Technol, Inchon 406840, South Korea;
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AlGaN/GaN; Ohmic contact; V-Ti/Al/Ni/Au; Ti/Al/Ni/Au; vanadium;
机译:Ta / Ti / Al / Ni / Au欧姆接触AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管的研究
机译:与未掺杂AlGaN / GaN异质结构的低电阻Si / Ti / Al / Ni / Au多层欧姆接触
机译:覆盖层厚度对使用欧姆凹进技术的p-AlGaN和p-GaN上的Ni欧姆接触的电性能的影响
机译:Al / sub x / Ga / sub 1-x / N / GaN异质结构上的Ti / Al / Ni / Au和Ti / Al / Pt / Au多层欧姆接触
机译:硅薄膜对AlGaN / GaN异质结构表面处理的严格研究。
机译:角分辨X射线光电子能谱研究Al2O3封端的GaN / AlGaN / GaN异质结构的表面极化
机译:TA / Ti / Al / Ni / Au欧姆接触到AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管的研究