机译:蒙特卡罗方法对AlGaN / GaN二极管进行自洽电热模拟
Departamento de Fisica Aplicada, Universidad de Salamanca, Plaza de la Merced s/n, 37008 Salamanca, Spain;
Departamento de Fisica Aplicada, Universidad de Salamanca, Plaza de la Merced s/n, 37008 Salamanca, Spain;
Departamento de Fisica Aplicada, Universidad de Salamanca, Plaza de la Merced s/n, 37008 Salamanca, Spain;
Departamento de Fisica Aplicada, Universidad de Salamanca, Plaza de la Merced s/n, 37008 Salamanca, Spain;
Departamento de Fisica Aplicada, Universidad de Salamanca, Plaza de la Merced s/n, 37008 Salamanca, Spain;
Institut d'Electronique de Microelectronique et de Nanotechnologie (IEMN), UMR CNRS 8520, Universite de Lille 1, Villeneuve d'Ascq CEDEX, France;
Institut d'Electronique de Microelectronique et de Nanotechnologie (IEMN), UMR CNRS 8520, Universite de Lille 1, Villeneuve d'Ascq CEDEX, France;
Departamento de Fisica Aplicada, Universidad de Salamanca, Plaza de la Merced s/n, 37008 Salamanca, Spain;
electrothermal modeling; Monte Carlo (MC); high-temperature; AlGaN/GaN HEMT; Ⅲ-Ⅴ;
机译:衬底和热边界电阻对通过电热蒙特卡洛模拟分析的AlGaN / GaN HEMT性能的影响
机译:AlGaN异质结阴极对GaN亚微米n + -n-n +二极管的蒙特卡罗模拟
机译:蒙特卡罗方法模拟偏振库域散射对AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管器件线性的影响
机译:通过自洽能平衡 - 蜂窝蒙特卡罗设备模拟电气热表征SI上的SI
机译:块聚合物的自组装:自洽场理论和蒙特卡罗模拟
机译:使用Geant4蒙特卡洛模拟法评估金纳米颗粒周围纳米级剂量估计的剂量点核重标度方法
机译:通过电热蒙特卡罗模拟评估GaN-二极管的热阻