机译:AlGaN / GaN / SiC高电子迁移率晶体管的阈值电压的温度依赖性
Univ Chittagong, Appl Phys Elect & Commun Engn, Chittagong, Bangladesh;
Univ Manchester, Microwave & Commun Syst Res Grp, Manchester M13 9PL, Lancs, England;
Univ Lille, IEMN, Villeneuve Dascq, France;
AlGaN/GaN HEMTs fabricated on SiC substrate; threshold voltage V-T shifts; drain-source voltage; temperature; analytical model;
机译:GaN应力对关态偏压下Si上AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的阈值电压漂移的影响
机译:氯基栅极凹槽和鳍片宽度调制对AlGaN / GaN鳍片高电子迁移率晶体管的阈值电压的耦合效应
机译:氯基栅极凹槽的耦合效应和翅片宽度调制对基于AlGaN / GaN Fin基高电子迁移率晶体管的阈值电压
机译:AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中栅极脉冲电压漏极电流瞬态响应的温度依赖性
机译:常压高电子迁移率晶体管的设计,仿真和制造,具有温度稳定性研究
机译:AlN /蓝宝石模板上的薄沟道AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的高横向击穿电压
机译:alGaN / GaN金属 - 绝缘体 - 半导体高电子迁移率晶体管的界面态/边界陷阱与阈值电压漂移的相关性