机译:SiO2衬底上非晶锗薄膜的热氧化
Univ Cambridge, Dept Phys, Cavendish Lab, JJ Thomson Ave, Cambridge CB3 0HE, England;
Univ Nacl Mayor San Marcos, Fac Ciencias Fis, Lab Ceram & Nanomat, Apartado Postal 14-0149, Lima, Peru;
Univ Cambridge, Dept Phys, Cavendish Lab, JJ Thomson Ave, Cambridge CB3 0HE, England;
Univ Cambridge, Dept Phys, Cavendish Lab, JJ Thomson Ave, Cambridge CB3 0HE, England;
Univ Fribourg, Adolphe Merkle Inst, Chemin Verdiers 4, CH-1700 Fribourg, Switzerland;
Univ Fribourg, Adolphe Merkle Inst, Chemin Verdiers 4, CH-1700 Fribourg, Switzerland;
Univ Nacl Mayor San Marcos, Fac Ciencias Fis, Lab Ceram & Nanomat, Apartado Postal 14-0149, Lima, Peru;
Univ Cambridge, Dept Phys, Cavendish Lab, JJ Thomson Ave, Cambridge CB3 0HE, England;
Tokyo Inst Technol, Mat & Struct Lab, Midori Ku, 4259 R3-5 Nagatsuta Cho, Yokohama, Kanagawa 2268503, Japan;
Univ Cambridge, Dept Phys, Cavendish Lab, JJ Thomson Ave, Cambridge CB3 0HE, England;
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germanium thin films; thermal oxidation; GeO2/Ge interface;
机译:SiO_2 / Si衬底热脱气后非晶锗薄膜的表面形态
机译:通过在非晶SiO2衬底和单晶GaSe薄片上热处理Zn薄膜获得的ZnO薄膜的光学特性
机译:通过等离子体增强原子层沉积制备的鲁棒SiO2栅极介电薄膜涉及脱甲丙基氨基硅烷(DIPA)和氧等离子体:在非晶氧化物薄膜晶体管上施用
机译:衬底温度对RF-PECVD制备非晶硅锗薄膜性能的影响
机译:氧化锶铁/二氧化硅/硅和氧化锶铁/氧化铝薄膜系统的热稳定性:透射电子显微镜研究薄膜系统的界面结构和氧化锶铁/氧化铝的电导传感响应。
机译:非晶态SiO2薄膜的热导率:分子动力学研究
机译:通过在氧化物膜沉积之前通过热生长的薄SiO2薄膜改善SiO2 / SiC界面的作用
机译:氢化非晶态锗和氢化非晶态锗碳化物薄膜的制备与表征