机译:介电双层应力工程在量子阱混合中的量子效率守恒
Bilkent Univ, Dept Phys, TR-06800 Ankara, Turkey;
Bilkent Univ, Dept Phys, TR-06800 Ankara, Turkey;
Anadolu Univ, Dept Phys, TR-26470 Eskisehir, Turkey;
Uludag Univ, Dept Elect & Elect Engn, TR-16059 Bursa, Turkey;
quantum well intermixing; impurity free vacancy disordering; semiconductor laser; stress engineering; quantum efficiency;
机译:应力诱导介电掩模提高等离子体增强量子阱混合的空间分辨率
机译:单轴应力下石墨烯基量子点的介电功能应力过程可控的红移和带隙工程
机译:单轴应力下石墨烯基量子点的介电功能应力过程可控的红移和带隙工程
机译:偏移量子阱和中心量子阱混合单片集成的广泛可调MZI-SOA波长转换器中交叉相位调制效率的详细比较
机译:λ= 1.55微米铟磷化铟镓/磷化铟激光结构中的介电增强量子阱混合。
机译:缺陷工程对280nm AlGaN多量子阱的内部量子效率达到85%
机译:用介电双层应力工程储存量子效率的量子效率