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In0.15Ga0.85As-GaAs应力层多量子阱中束缚子带-连续带跃迁

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来源
《物理学报》 |1990年第4期|627-631|共5页
作者
方晓明; 沈学础; 侯宏启; 冯巍; 周均铭;
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作者单位

无;

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正文语种 chi
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