机译:基于载流子速率方程的280nm AlGaN多量子阱发光二极管效率下降
机译:GaN / AlGaN多量子孔的显着内部量子效率提高,通过步骤量子阱结构设计发出类似于350nm的多量子孔
机译:基于AlGaN的UV-C多量子阱中的高内量子效率和光学泵浦刺激发射
机译:AlGaN-Delta-GaN量子阱在260 nm处具有很高的内部量子效率
机译:III型氮化物发光二极管内部量子效率提高和效率下降问题的设备工程
机译:局部表面等离子体激元增强了AlGaN基量子阱中深紫外发射的极化和内部量子效率
机译:SubquAntum-Well对高效载流量的影响Duv位错脱位Algan / Algan系列多量子阱