机译:位错对低压化学气相沉积法生长Si / Ge多层膜中Ge岛的垂直排列的影响
机译:生长速率对通过减压化学气相沉积在高温下生长的弛豫SiGe缓冲液中的位错密度的影响
机译:沉积温度和压力对化学气相沉积生长的硼掺杂多晶硅Si 13 SUB> Ge 87 SUB>薄膜结构和电性能的影响
机译:低温低压化学气相沉积生长多晶硅的原位准分子激光退火:金属扩散对薄膜形貌和生长速率的影响
机译:垂直SI P-MOS晶体管由低压化学气相沉积有选择性地生长
机译:金属有机化学气相沉积法生长锌氧的光学研究。
机译:低压化学气相沉积中不同氢气流量下生长的石墨烯的物理和电学性质
机译:使用低压化学气相沉积生长的si / siGe近红外光电探测器
机译:化学气相沉积法生长mos2原子层的应变和结构非均匀性。