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机译:重离子辐射对新型Redi LDMOS电力装置性能的影响
Peking Univ Inst Microelect Beijing 100871 Peoples R China;
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REDI LDMOS; heavy ion; micro-dose effect; displacement damage (DD); ion fluence; breakdown voltage (BV); on-resistance (Ron);
机译:重离子辐照对新型REDI LDMOS功率器件性能的影响
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