机译:侧向源极现场镀β-Ga_2O_3MOSFET,记录的击穿电压为2360 V,低导通电阻为560mΩcm〜2
Hebei Semicond Res Inst Natl Key Lab ASIC Shijiazhuang Hebei Peoples R China;
Univ Sci & Technol China Sch Microelect Hefei Anhui Peoples R China;
Ga2O3 MOSFET; source field plate; breakdown voltage; power figure of merit (PFoM);
机译:具有近2kV击穿电压和520mΩ·cm〜2导通电阻的场镀Ga_2O_3 MOSFET
机译:用于超低导通电阻和高击穿电压的扩展沟槽栅极超结横向功率MOSFET
机译:用于超低导通电阻和高击穿电压的扩展沟槽栅极超结横向功率MOSFET
机译:具有高雪崩击穿电压和低特定导通电阻的新型截短的V形槽4H-SIC MOSFET
机译:具有高击穿电压和低导通电阻的新型沟槽横向功率MOSFET
机译:在SiNx钝化层中注入氟离子的高击穿电压和低动态导通电阻AlGaN / GaN HEMT
机译:编辑选择-2.32 kV击穿电压横向β-GA2O3 MOSFET,带源连接的磁场板