机译:微米级Pt / MoS_2肖特基势垒二极管中的势垒不均匀性
Indian Inst Technol Delhi, Dept Phys, New Delhi, India;
MoS2; Schottky diode; I-V characteristics; barrier inhomogeneity;
机译:后退火工艺可改善Ti / Al 4H-SiC肖特基势垒二极管中肖特基势垒高度的不均匀性
机译:P型Al / 4H-SiC肖特基势垒二极管屏障不均匀分析
机译:Au / Sn02-PVA / n-Si肖特基势垒二极管中与温度有关的电流传输机制和势垒不均匀性
机译:P型AI / 4H-SIC肖特基势垒二极管屏障不均匀分析
机译:肖特基势垒二极管及其作为肖特基势垒电阻的应用
机译:GaN基纳米级肖特基势垒二极管中的势垒不均匀性限制了电流和1 / f噪声的传输
机译:阻挡不均匀性限制了基于GaN的纳米级肖特基势垒二极管中的电流和1 / f噪声传输