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Analysis on porous Si PL from quantum confinement effect

机译:从量子约束效应分析多孔硅PL

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摘要

We have measured the variation of photoluminescence (PL) in porous silicon with anodization(AO) time, HF soak time or natural oxidation time, and found that the peak value of PL spectrum will shift towards shorter value as above time is increased. The analyses in experiment and theory show that the quantum confined structures produced by the AO process may be responsible for the blue shift,
机译:我们测量了多孔硅中的光致发光(PL)随阳极氧化(AO)时间,HF浸泡时间或自然氧化时间的变化,发现随着上述时间的增加,PL光谱的峰值将向较短的值移动。实验和理论分析表明,AO过程产生的量子约束结构可能是造成蓝移的原因,

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