机译:从量子约束效应分析多孔硅PL
Dept. of Elec. Eng., Southeast University, Nanjing 210096 CHN;
porous materials; anodization; spectral analysis; photoluminescence; puantum confinement effect;
机译:从量子约束效应分析多孔硅PL
机译:Si量子线截面尺寸的恒定和阶梯状行为以及多孔硅形成中的量子约束效应
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