ポリマー半導体トランジスタで優れたスイッチング特性を実現

摘要

東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻の北原暁大学院生(研究当時)、井川光弘特任研究員、松岡悟志助教、荒井俊人講師、長谷川達生教授らの研究グループは、ポリマー半導体による薄膜トランジスタ(TFT)のスイッチングの鋭さと安定性を決定づける要因を解明し、従来にない高急峻なスイッチング動作·高いバイアス耐性·低電圧駆動を同時に示す、実用的な塗布型TFTの構築に成功した。