世界初、技術開発に成功: 東北大、東京エレクトロンが共同研究 次世代デバイスMRAM実用化に道

摘要

東北大学原子分子材料科学高等研究機構 (AIMR) および流体科学研究所 (IFS) の寒川誠二教授らの研究グループはこのほど、次世代のデバイスとされるMRAM (磁気抵抗メモリー) の実用化に道を拓く技術として、酸化と金属錯体反応を同時に実現する装置を開発、これまで困難であった遷移金属ゃ磁性体膜の高精度で超低損失なェツチングに世界で初めて成功した。JST (科学技術振興機構) 復興促進センターで実施されている復興促進プログラム (マッチング促進) における研究課題「次世代超低損傷微細加工プロセス用大口径中性粒子ビーム源の闘発」による成果で、今後、宮城県に生産体制を持つ東京エレクトロンでMRAMの生産技術が実用化されれば、被災地における事業創出や雇用創出どいつた効果が期待される。