高集積化が可能な低電流スピントロニクス素子開発: N I MS、理科大成功 低電流・大容量メモリ実現へ前進

摘要

物質・材料研究機構(NIMS)国際ナノアーキテクトニクス研究拠点の土屋敬志博士研究員(現東京理科大学)、寺部一弥グループリーダー、青野正和拠点長らの研究グループは、東京理科大学の樋口透専任講師と共同で、固体電解質と磁性体を組み合わせ、電圧をかけて磁性体にイオンを出し入れすることで、従来のスピントロニクス素子より低電流で磁性制御が可能な素子の開発に成功した。高度情報化社会では、膨大なデータ量を保存するための高密度大容量メモリの重要性が増しており、電子の電荷とスピンの両方の性質を利用してデータ保存を行うスピントロニクス素子が注目されている。ただ従来の方式では、高集積化が困難であり、書き込み電流が大きいなどの問題点が指摘されていた。