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Focus measurement

机译:焦点测量

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摘要

Using focus marks on wafers allows the use of diffraction based metrology to determine focus quality associated with a lithographic process. Typically a signal (for example a difference in intensity between a first and minus first order of the light diffracted by the mark on the wafer) is used to deduce a certain focus parameter at the location of the mark. The signal is compared to a calibration curve which relates a signal value to a focus value.
机译:在晶片上使用焦点标记允许使用基于衍射的度量来确定与光刻工艺相关的焦点质量。通常,信号(例如,晶片上的标记所衍射的光的第一阶和负第一阶之间的强度差)用于推导标记位置处的某个聚焦参数。将信号与校准曲线进行比较,该校准曲线将信号值与聚焦值相关联。

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  • 来源
    《Research Disclosure》 |2018年第647期|433-433|共1页
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  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
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  • 入库时间 2022-08-17 23:56:29

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