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画期的なRF出力を実現 LDMOSトランジスタ4製品 NXPが発表

机译:革命性的射频输出实现LDMOS晶体管NXP宣布推出4种产品

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摘要

NXPセミコンダクターズは画期的なRF出力を実現する、新しいLDMOSトランジスタ4製品を発表した。新製品は900メへルガツから1400メへルガツで動作する防衛用レーダーや敵昧方識別(IFF)システム向けにクラス最高の性能を提供する。現在、いくつかの防衛機器企業がこれらの新しい高性能トランジスタを使用し、システムの開発と評価を進めている。
机译:恩智浦半导体推出了四款新型LDMOS晶体管,可提供突破性的RF输出。新产品为900至1400 mehugetu的防御雷达和敌对识别(IFF)系统提供了一流的性能。当前,一些国防设备公司正在使用这些新型高性能晶体管来开发和评估系统。

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    《电波新闻》 |2016年第16910期|3-3|共1页
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