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带有过热保护功能的射频LDMOS晶体管

摘要

本发明提供一种带有过热保护功能的射频LDMOS晶体管,包括集成在同一芯片上的SONOS器件、NPN BJT热传感器和射频LDMOS器件;SONOS器件栅极存储有正电荷;SONOS器件栅极通过金属连接至NPN BJT热传感器基极,为NPN BJT热传感器的发射结提供偏置;NPN BJT热传感器的集电极接在LDMOS栅极上,为LDMOS栅极提供电流泄放通道;由于本发明将射频LDMOS器件过热保护电路集成到了射频LDMOS芯片上且不需要独立的供电引脚,大大减小了射频系统的复杂性和从而降低了以射频LDMOS器件为核心的射频系统的制造和维护成本。

著录项

  • 公开/公告号CN106783841B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-11-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN201710004433.8

  • 申请日2017-01-04

  • 分类号H01L27/02(20060101);H01L27/06(20060101);

  • 代理机构51232 成都点睛专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人敖欢;葛启函

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2022-08-23 10:42:39

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-11-01

    授权

    授权

  • 2017-06-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/02 申请日:20170104

    实质审查的生效

  • 2017-06-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/02 申请日:20170104

    实质审查的生效

  • 2017-05-31

    公开

    公开

  • 2017-05-31

    公开

    公开

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