法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-11-23
授权
授权
2015-11-18
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/78 申请日:20150601
实质审查的生效
2015-11-18
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20150601
实质审查的生效
2015-10-21
公开
公开
2015-10-21
公开
公开
机译: 使用偏置纵向场板,LDMOS晶体管和制造LDMOS晶体管的方法的LDMOS晶体管的漂移区域场控制。
机译: 使用偏置纵向场板,LDMOS晶体管和制造LDMOS晶体管的方法对LDMOS晶体管进行漂移区域场控制
机译: 一种制造横向双扩散MOSFET(LDMOS)晶体管和常规CMOS晶体管的方法