抵抗変化メモリーの挙動解明 産総研と筑波大学が共同で

摘要

産業技術総合研究所(産総研)ナノエレクトロニクス研究部門3D集積システム研究グループの馮ウェイ研究員、エマージングデバイス研究グループの島久主任研究員らは、筑波大学数理物質系物理工学域の大毛利健治淮教授と共同で、幅広い電流レンジでノイズを計測する手法を開発。不揮発性メモリーである抵抗変化メモリー(ReRAM)が、100nAという超低消費電力で動作する際の挙動について明らかにした。